仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | International Rectifier |
| シリーズ | HEXFET® |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 43A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 42mOhm @ 22A, 10V |
| 消費電力(最大) | 200W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |