仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Cambridge GaN Devices |
| シリーズ | ICeGaN™ |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 16-PowerVDFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 77mOhm @ 2.2A, 12V |
| FETの特徴 | Current Sensing |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.2V @ 10mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 16-DFN (8x8) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 12V |
| Vgs (最大) | +20V, -1V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6 nC @ 12 V |