仕様
PDF(1)
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Cambridge GaN Devices |
| シリーズ | ICeGaN™ |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V |
| FETの特徴 | Current Sensing |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.2V @ 4.2mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-DFN (5x6) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 9V, 20V |
| Vgs (最大) | +20V, -1V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.3 nC @ 12 V |