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  • 部品番号 DI016N06PQ2-AQ
    製品分類 FET、MOSFETアレイ
    説明 IC
    カプセル化 バルク
    数量 200
    価格 $0.2500
    RoHS状態 NO
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元Diotec Semiconductor
    シリーズ-
    パッケージバルク
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケース8-PowerTDFN
    取付タイプSurface Mount
    構成2 N-Channel
    動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
    パワー - 最大16.7W (Tc)
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)60V
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C16A (Tc)
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1260pF @ 30V
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs33mOhm @ 15A, 10V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs19nC @ 10V
    FETの特徴Logic Level Gate
    Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 250µA
    サプライヤーデバイスパッケージTDSON-8-4
    学年Automotive
    資格AEC-Q101