仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | EPC |
| シリーズ | eGaN® |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | Die |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 43mOhm @ 1A, 5V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Die |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 5V |
| Vgs (最大) | +6V, -4V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 573 pF @ 100 V |