仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | EPC |
| シリーズ | eGaN® |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | OBSOLETE |
| パッケージ・ケース | 9-VFBGA |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 構成 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V, 100V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 9-BGA (1.35x1.35) |