仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| シリーズ | - |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 12-SSIP Exposed Pad, Formed Leads |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 構成 | 2 N-Channel |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| パワー - 最大 | 463W (Tc) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 64A (Tc) |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4864pF @ 400V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 51mOhm @ 20A, 10V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 123nC @ 10V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 3.3mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | APMCD-B16 |
| 学年 | Automotive |
| 資格 | AEC-Q101 |