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  • 部品番号 FBG04N30BC
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
    カプセル化 バルク
    数量 341
    価格 $287.7600
    RoHS状態 NO
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元EPC Space
    シリーズFSMD-B
    パッケージバルク
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケース4-SMD, No Lead
    取付タイプSurface Mount
    動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
    FETタイプN-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C30A (Tc)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs9mOhm @ 30A, 5V
    Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 9mA
    サプライヤーデバイスパッケージ4-SMD
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
    Vgs (最大)+6V, -4V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)40 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs11.4 nC @ 5 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1300 pF @ 20 V