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  • 部品番号 FBG30N04CC
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
    カプセル化 バルク
    数量 200
    価格 $318.0500
    RoHS状態 NO
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元EPC Space
    シリーズ-
    パッケージバルク
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケース4-SMD, No Lead
    取付タイプSurface Mount
    動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
    FETタイプN-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C4A (Tc)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs404mOhm @ 4A, 5V
    Vgs(th) (最大) @ ID2.8V @ 600µA
    サプライヤーデバイスパッケージ4-SMD
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
    Vgs (最大)+6V, -4V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)300 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs2.6 nC @ 5 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds450 pF @ 150 V