仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Fairchild Semiconductor |
| シリーズ | PowerTrench® |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V |
| 消費電力(最大) | 1.9W (Ta) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (最大) | ±8V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 17.5 nC @ 4.5 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1680 pF @ 10 V |