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  • 部品番号 G2K2P10D3E
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
    カプセル化 テープ&リール(TR)
    数量 5170
    価格 $0.5800
    RoHS状態 YES
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元Goford Semiconductor
    シリーズ-
    パッケージテープ&リール(TR)
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケース8-PowerVDFN
    取付タイプSurface Mount
    動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
    FETタイプP-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C10A (Tc)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs210mOhm @ 6A, 10V
    消費電力(最大)31W (Tc)
    Vgs(th) (最大) @ ID2.5V @ 250µA
    サプライヤーデバイスパッケージ8-DFN (3.15x3.05)
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)4.5V, 10V
    Vgs (最大)±20V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs33 nC @ 10 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds1668 pF @ 50 V