仕様
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タイプ | 説明 |
製造元 | Goford Semiconductor |
シリーズ | TrenchFET® |
パッケージ | チューブ |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | TO-220-3 |
取付タイプ | Through Hole |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 13mOhm @ 20A, 4.5V |
消費電力(最大) | 40W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.2V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220 |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V |
Vgs (最大) | ±12V |