仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 4-SIP, GBJ |
| 取付タイプ | Through Hole |
| ダイオードの種類 | Single Phase |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | Standard |
| サプライヤーデバイスパッケージ | GBJ |
| 電圧 - ピーク逆方向 (最大) | 200 V |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 10 A |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.05 V @ 5 A |
| 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 10 µA @ 200 V |