仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | IR (Infineon Technologies) |
| シリーズ | CoolSiC™ Gen 2 |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 115A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 18mOhm @ 64.2A, 18V |
| 消費電力(最大) | 416W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5.6V @ 13mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V, 20V |
| Vgs (最大) | +23V, -7V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 79 nC @ 18 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2792 pF @ 400 V |