仕様
タイプ | 説明 |
製造元 | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ | - |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | DirectFET™ Isometric MZ |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 6.2A (Ta), 35A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 34.5mOhm @ 7.6A, 10V |
消費電力(最大) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4.9V @ 150µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric MZ |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
Vgs (最大) | ±20V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2340 pF @ 25 V |