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  • 部品番号 IRFAC30
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    カプセル化 バルク
    数量 667
    価格 $5.1000
    RoHS状態 NO
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元International Rectifier
    シリーズHEXFET®
    パッケージバルク
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケースTO-204AA, TO-3
    取付タイプThrough Hole
    動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
    FETタイプN-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs2.5Ohm @ 3.6A, 10V
    消費電力(最大)75W (Tc)
    Vgs(th) (最大) @ ID4V @ 250µA
    サプライヤーデバイスパッケージTO-204AA (TO-3)
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
    Vgs (最大)±20V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)600 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs38 nC @ 10 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds630 pF @ 25 V