仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | International Rectifier |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | DirectFET™ Isometric MD |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 211A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 0.75mOhm @ 50A, 10V |
| 消費電力(最大) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.1V @ 100µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DIRECTFET™ MD |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (最大) | ±12V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 158 nC @ 4.5 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8292 pF @ 10 V |