仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | Three Tower |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| スピード | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| テクノロジー | Standard |
| ダイオード構成 | 1 Pair Series Connection |
| 電流 - 平均整流 (Io) (ダイオードあたり) | 100A |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Three Tower |
| 動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 150°C |
| 電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 1200 V |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.1 V @ 100 A |
| 電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 10 µA @ 1200 V |