仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Sanyo Semiconductor/onsemi |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | Module |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| パワー - 最大 | 1.1kW (Tj) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 338A (Tj) |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 16410pF @ 800V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 5.5mOhm @ 200A, 18V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 876nC @ 20V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.4V @ 120mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 36-PIM (56.7x62.8) |