仕様
PDF(1)
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Quest Semi |
| シリーズ | - |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 36A |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| 消費電力(最大) | 198W |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.8V @ 100µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-3 |
| 学年 | Automotive |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.8V |
| Vgs (最大) | +25V, -10V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 600 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1001 pF @ 800 V |