仕様
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | STMicroelectronics |
| シリーズ | - |
| パッケージ | チューブ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | TO-247-4 |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 72mOhm @ 15A, 18V |
| 消費電力(最大) | 210W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.2V @ 1mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4 |
| 学年 | Automotive |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V, 18V |
| Vgs (最大) | +18V, -5V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 32 nC @ 18 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 721 pF @ 40 V |
| 資格 | AEC-Q101 |