仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Tagore Technology |
| シリーズ | - |
| パッケージ | トレイ |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 30-PowerWFQFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 110pF @ 400V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 118mOhm @ 500mA, 6V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3nC @ 6V |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 11mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 30-QFN (8x10) |