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  • 部品番号 TP65H070G4QS-TR
    製品分類 シングルFET、MOSFET
    説明 650 V 29 A GAN FET
    カプセル化 テープ&リール(TR)
    数量 200
    価格 $8.6100
    RoHS状態 YES
    仕様
    PDF(1)
    タイプ説明
    製造元Transphorm
    シリーズ-
    パッケージテープ&リール(TR)
    製品の状態ACTIVE
    パッケージ・ケース8-PowerSFN
    取付タイプSurface Mount
    動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
    テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
    FETタイプN-Channel
    電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C29A (Tc)
    Rds オン (最大) @ Id、Vgs85mOhm @ 16A, 10V
    消費電力(最大)96W (Tc)
    Vgs(th) (最大) @ ID4.8V @ 700µA
    サプライヤーデバイスパッケージTOLL
    駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
    Vgs (最大)±20V
    ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
    ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs8.4 nC @ 10 V
    入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds600 pF @ 400 V