仕様
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タイプ | 説明 |
製造元 | Transphorm |
シリーズ | SuperGaN® |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 560mOhm @ 3A, 6V |
消費電力(最大) | 13.2W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 500µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V |
Vgs (最大) | ±10V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 5 nC @ 10 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 414 pF @ 400 V |