仕様
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| タイプ | 説明 |
| 製造元 | Transphorm |
| シリーズ | - |
| パッケージ | バルク |
| 製品の状態 | OBSOLETE |
| パッケージ・ケース | Module |
| 取付タイプ | Through Hole |
| 構成 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) |
| パワー - 最大 | 470W |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2260pF @ 100V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 28nC @ 8V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |