仕様
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タイプ | 説明 |
製造元 | YAGEO XSEMI |
シリーズ | XP3N1R8 |
パッケージ | テープ&リール(TR) |
製品の状態 | ACTIVE |
パッケージ・ケース | 8-PowerLDFN |
取付タイプ | Surface Mount |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
FETタイプ | N-Channel |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 40.6A (Ta), 165A (Tc) |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.89mOhm @ 20A, 10V |
消費電力(最大) | 5W (Ta), 83.3W (Tc) |
Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA |
サプライヤーデバイスパッケージ | PMPAK® 5 x 6 |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V |
Vgs (最大) | ±20V |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 60 nC @ 4.5 V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4850 pF @ 25 V |