仕様
PDF(1)
| タイプ | 説明 |
| 製造元 | YAGEO XSEMI |
| シリーズ | XP4N2R5 |
| パッケージ | テープ＆リール（TR） |
| 製品の状態 | ACTIVE |
| パッケージ・ケース | 8-PowerLDFN |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETタイプ | N-Channel |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 33.8A (Ta), 125A (Tc) |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.55mOhm @ 20A, 10V |
| 消費電力(最大) | 5W (Ta), 69.4W (Tc) |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PMPAK® 5 x 6 |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 40 V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 112 nC @ 10 V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 6080 pF @ 20 V |